Tipo de imagem mais comum gerada por um MEV. Ao interagir com a superfície da amostra, o feixe eletrônico espalha inelasticamente elétrons arrancando-os (elétrons secundários) dos átomos que compõem a amostra. Apenas os elétrons espalhados na superfície da amostra são capazes de escapar e atingir o detector (uma tela de fósforo posicionada próxima da amostra). Esse sinal é coletado durante a varredura, gerando uma imagem de elétrons secundários, que contêm informação da morfologia superficial da amostra.

Imagem de elétrons secundários de esferas de poliestireno.

Tipo de análise: Morfologia
Equipamentos: MEV QUANTA, MEV QUANTA 3D, MEV JEOL, MEV MLA, MSE JEOL.

Ao interagir com a amostra, um elétron do feixe eletrônico pode ser espalhado elasticamente na direção normal à superfície (paralelo a direção do feixe). Posicionando um detector na abertura da coluna é possível captar esses elétrons e, como o espalhamento sofrido é elástico, esses elétrons carregam informação do núcleo atômico que provocou o espalhamento. Átomos mais massivos possuem maior probabilidade de espalhar e, portanto, regiões onde há maior concentração desses átomos aparecem mais claras na imagem que regiões onde há concentração de átomos leves, possibilitando a distinção dessas duas regiões.

Tipo de análise: Morfologia, Cristalografia e Composição química.
Equipamentos: MEV QUANTA, MEV QUANTA 3D, MEV JEOL, MEV MLA, MSE JEOL.

Quando é necessário utilizar um MEV para analisar uma amostra não condutora ou sensível ao feixe eletrônico (e.g. amostras biológicas) é possível introduzir uma atmosfera rarefeita de água na câmara do microscópio, para auxiliar no controle de temperatura e cargas superficiais na amostra. Esse modo de operação é conhecido como baixo vácuo e é utilizado para adquirir principalmente, imagens de elétrons secundários e espectros de EDS.

Imagem de elétrons secundários adquirida em baixo vácuo da superfície de um implante dentário.

Tipo de análise: Morfologia
Equipamentos: MEV QUANTA, MEV JEOL.

Esta técnica utiliza um detector de estado sólido montado abaixo da amostra para analisar o feixe transmitido pela mesma. Em razão do fato do microscópio de varredura operar em tensões de aceleração significativamente inferiores àquelas usualmente disponíveis em um microscópio de transmissão esta técnica permite a realização de análises em materiais que sejam sensíveis ao feixe eletrônico. Apesar desta vantagem as imagens geradas com esta técnica apresentam resoluções inferiores às possíveis em um MET.

Tipo de análise: Morfologia e Cristalografia
Equipamentos: MEV QUANTA, MEV QUANTA 3D.

A varredura com um FIB, ao contrário de um feixe eletrônico, proporciona a possibilidade de provocar uma erosão controlada da região de interesse de uma amostra. A erosão ocorre devido ao sputtering dos átomos da superfície devido à colisão dos íons de Ga do feixe. A varredura pode ser realizada de diversas formas, provocando padrões de corrosão diferentes, sendo possível produzir nanodispositivos ou extrair pequenas seções da região de interesse para análise em MET. Como a interação do feixe iônico com uma amostra cristalina é fortemente dependente da orientação do cristal em relação ao feixe, as imagens de elétrons secundários produzidas pela varredura com feixe iônico possuem forte contraste de orientação cristalina.

À esquerda, imagem de elétrons secundários com varredura de feixe eletrônico e iônico,
à direita, imagem de uma seção transversal erodida por FIB em amostra de Cu policristalino.

Tipo de análise: Morfologia e Cristalografia
Equipamentos: MEV QUANTA 3D.

Técnica normalmente utilizada para depositar pequenas quantidades de material superficialmente na região de interesse de uma amostra condutora. A deposição pode ser realizada em um padrão com precisão de até dezenas de nanômetros, sendo utilizada tanto para produzir contatos elétricos entre estruturas como para proteger a região de interesse.

Camada de platina depositada com IBID sobre superfície metálica.

Equipamentos: MEV QUANTA 3D.

Esta técnica é empregada na identificação das substâncias presentes na amostra através da medida do parâmetro de rede do reticulado cristalino e da identificação da simetria e da orientação do cristalina. A análise da microestrutura, estudo da recristalização em metais e ligas, mapeamento da distribuição de orientações, levantamento da distribuição do tamanho dos grãos e orientações preferenciais (textura), identificação das fronteiras de grão, levantamento da distribuição da deformação dos grãos (GOS, GAM e KAM) e o levantamento da fração de área das fases são possíveis através da construção dos mapas de orientação cristalina.

A técnica de difração de elétrons retroespalhados transmitidos (t-EBSD) combina as vantagens procedentes do uso de amostras finas (espessuras da ordem de 100 nm) na geração dos feixes difratados por transmissão com as inúmeras análises possíveis com a técnica de EBSD. A principal vantagem desta combinação é o ganho na resolução espacial nas análises por EBSD permitindo a caracterização de estruturas mais refinadas.

Padrão de difração de elétrons retroespalhados e mapa de EBSD de amostra de alumínio.

Tipo de análise: Morfologia, Cristalografia e Defeitos Cristalinos.
Equipamentos: MEV QUANTA.